规格书 |
C2D10120A |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 1200V (1.2kV) |
电流 - 平均整流(Io) | 17A |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 1.8V @ 10A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
电流 - 反向漏VR | 200µA @ 1200V |
电容@ Vr,F | 1000pF @ 0V, 1MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-2 |
供应商器件封装 | TO-220-2 |
包装材料 | Tube |
包装 | 2TO-220 |
峰值反向重复电压 | 1200 V |
峰值平均正向电流 | 10 A |
峰值正向电压 | 1.8 V |
工作温度 | N/A to 175 °C |
安装 | Through Hole |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
峰值正向电压 | 1.8 |
最大连续正向电流 | 10 |
峰值反向重复电压 | 1200 |
最高工作温度 | 175 |
工作结温度 | 175 |
引脚数 | 2 |
封装 | Tube |
电流 - Vr时反向漏电 | 200µA @ 1200V |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.8V @ 10A |
标准包装 | 50 |
电压 - ( Vr)(最大) | 1200V (1.2kV) |
热阻 | 0.48°C/W Jc |
电容@ Vr ,F | 1000pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 | TO-220-2 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
电流 - 平均整流(Io ) | 17A |
封装/外壳 | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.414 x 4.699 x 15.621mm |
身高 | 15.621mm |
长度 | 10.414mm |
最大连续正向电流 | 25A |
最高工作温度 | +175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220-2 |
峰值不重复正向浪涌电流 | 0.25kA |
峰值反向电流 | 1mA |
整流器类型 | General Purpose |
宽度 | 4.699mm |
最大二极管电容 | 1000 pF |
正向电压下降 | 1.8 V |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
最大功率耗散 | 312 W |
正向连续电流 | 10 A |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
安装风格 | Through Hole |
最大浪涌电流 | 250 A |
封装/外壳 | TO-220-2 |
RoHS | RoHS Compliant |
工作温度范围 | 175C |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
峰值不重复浪涌电流(最大) | 250 |
高峰代表冯电压 | 1200 |
冯页次 | 200 |
正向电压 | 1.8 |
平均。 | 17 |
峰值不重复浪涌电流 | 250 A |
删除 | Compliant |
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